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  • Park
    NX-Wafer
    AFM 仕様

Park NX-Wafer 仕様

システム
仕様

電動XYステージ

200mm : 駆動 275 mm × 200 mm、分解能0.5μm

300mm : 駆動 400 mm × 300 mm、分解能 0.5 μm
< 再現性 < 1 μm


電動 Zステージ

Z 駆動距離 25mm
分解能 0.08 μm 、再現性 < 1 μm

電動フォーカスステージ

Z駆動距離 9mm 、直上光学系


試料厚さ許容範囲

最大20 mm


全スキャンレンジ Z クリアランス

< 2 nm、再現性 < 1nm


COGNEX パターン認識

パターンアライン分解能 1/4 ピクセル

 

スキャナ
性能

XYスキャナ レンジ

100 µm × 100 µm (Large mode)
50 µm × 50 µm (Medium mode)
10 µm × 10 µm (Small mode)
Single-module flexure XY scanner with closed-loop control


XY スキャナ分解能

0.15 nm (Large mode)


Z スキャナ レンジ

15 µm (Large mode)
2 µm (Small mode)

Z スキャナ分解能

0.016 nm (Large mode)
0.002 nm (Small mode)


Z スキャナ検出器雑音

0.03 nm, rms (typical)

 

AFM とXY ステージ
制御エレクトロニクス

ADC

18 チャンネル
4 高速 ADCチャンネル (64 MSPS)
24ビット ADC( X、Y及び Zスキャナ ポジションセンサー)

 

DAC

17 チャンネル
2 高速 DAC チャンネル (64 MSPS)
20ビット DAC ( X、Y及び Zスキャナ ポジションセンサ)

 

準拠

CE

SEMI スタンダード S2/S8

 

振動、音響、
負荷振動ノイズ
及び ESD 性能

床振動ノイ

< 0.5 μm/s (10 Hz~ 200 Hz 、アクティブ防振台使用)

音響ノイズ

>20 dB 低減(アクースティックエンクロージャー使用)

 

設備
条件

室温 (待機時)

10 °C ~ 40 °C 


室温 (稼働時)

18 °C ~ 24 °C


湿度

30% ~ 60% (結露が無い事)


床振動レベル

VC-D基準 (6 μm/sec)


音響ノイズ

65 dB以下

排気系

真空 : -80 kPa
CDA (or N2): 0.7 MPa

電源

208 V - 240 V、単相、15 A (最大)


総合消費電力

2 KW (公称)


グラウンド抵抗

100 オーム以下

 

寸法(mm )
重量(Kg)

200mm システム レイアウト

2732 mm (幅) × 1100 mm (奥行) x 2400 mm(高)
約2110 kg (コントロールキャビネット含む)


天井高

2500 mm 以上


作業スペース

3300 mm (幅) x 2300 mm (奥行), Minimum

300mm システム レイアウト

3486 mm(幅) × 1450 mm(奥行) x 2400 mm(高)
約2950 kg (コントロールキャビネット含む)


天井高

2500 mm 以上


作業スペース

4540 mm (幅) x 2850 mm (奥行)

 
footprint-300mm-wafer [ Park NX-Wafer 300mm 設置レイアウト ]